关于反向电压钽电容器介质氧化膜具有单向导电性和整流特性，当施加反向电压时，就会有很大的电流通过，甚至造成短路而失效。因此，使用中应严格控制反向电压。，并且不可长期在纯交流电路中使用。若在不得已的情况下，允许在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃下：≤10%UR或1V（取小者）85℃下≤5%UR或（取小者）125℃下≤1%UR或（取小者）。如果将电容器长期使用在有反向电压的电路中时，请选用双极性钽电容器，但也只能在极性变换而频率不太高的直流或脉动电路中使用。。全钽电容器能承受3V反向电压。非固体电解质钽电容器不能承受任何反向电压。（容易施加反向电压）。，如不慎对液体钽电容器施加了反向电压或对固体钽电容器施加了超过规定的反向电压，CAK37F-150V-1300uF-K-C5，则该电容器应报废处理，CAK37F-150V-1300uF-K-C5，即使其各项电参数仍然合格，CAK37F-150V-1300uF-K-C5，因为产品由反向电压造成的质量隐患有一定的潜伏期，在当时并不一定能表现出来。 选择合适的钽电容需要考虑电路的需求、电压、电流、温度等因素。CAK37F-150V-1300uF-K-C5
钽电容的容量通常以微法拉为单位进行表示。不同规格的钽电容具有不同的容量范围，可以根据实际需求进行选择。与传统的电解电容相比，钽电容具有更好的性能表现。传统的电解电容由于材料的不稳定性，容易出现漏液等问题，而钽电容的稳定性和耐压能力都非常出色。 钽电容的内部结构通常分为两种：一种是卷绕型，另一种是平板型。卷绕型钽电容的结构类似于传统的电解电容，而平板型钽电容则是将两片薄钽片卷绕在一起形成电容器。除了常规的钽电容，还有一些特殊类型的钽电容，如低ESR型、高频型、低漏电流型等。这些特殊类型的钽电容针对不同的应用场景进行了优化，具有更好的性能表现。CAK45-F-10V-150uF-K在维修钽电容时，需要遵循安全规范和操作流程，确保人员和设备的安全。
近年来，随着信息技术和电子设备的快速发展及国际制造业向中国转移，电容器需求呈现出整体上升态势，我国电容器产业也快速发展成为世界电容器生产大国和出口大国。电容器产量约占整个电子元件的40%，且需求不断扩大。钽电容器诞生于1956年，是四大电容产品（MLCC/铝电解/钽电容/薄膜电容）之一。钽电容器产量较小，价格较贵，在整个电容器市场的应用占比较低；且拥有高能量密度、高可靠性、稳定的电性能、较宽的工作温度范围等特点，尤其是具有“自愈性”；钽电容相应成本也高，主要应用于高可靠性电子设备，以及5G等民品市场。
钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用。钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了***的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。钽电容的额定电压范围广，从几伏特到几百伏特，可以满足不同电路的需求。
事实上为了避免快充对智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主控电路寿命产生影响，高性能的钽电容是***快充输出波形稳定的重要必要器件之一。与苹果和三星为了避免钽电容成本上升与产品缺货导致的充电头配件倾蚀利润不同，中国国产品牌不但不能放弃充电头业务，反而要以小型化高功率快充为改善用户体验为切入点，迅速提升自己品牌竞争力，阻止自己的市场份额下滑。甚至在***的条件下，即便是智能手机本体不赚钱，也要让充电头等手机配件赚钱来养活自己的智能手机业务，所以现阶段小型化快充充电头对于中国国产品牌意义更加深远。目前全球市场的智能手机保有量快接近40亿部，平板电脑产品保有量接近10亿部，小型高功率快充市场的需求打开后，这一项就让传统的钽电容生产商在产能部署上措手不及。钽电容在汽车电子系统中的应用日益变广，需要满足汽车环境下的高温、振动和耐久性等要求。CAK55H-C-50V-6.8uF-M
钽电容的容量范围广，从几皮法拉到几百微法拉，适合不同电路的需求。CAK37F-150V-1300uF-K-C5
电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。CAK37F-150V-1300uF-K-C5
